サムスンはTSMCと協力してNVIDIAのメモリチップを生産します。

三星電子は台積電の3ナノプロセスを採用し、エヌビディアの次世代カスタムHBMチップの基底裸チップを生産します。これは三星がHBM製造段階で台積電と協力する初めてのケースです。

エヌビディアは三星、SKハイニックス、マイクロンテクノロジーに台積電のプロセスを使用してNVHBM基底裸チップを製造し、第6世代DRAM技術を使用するよう要求しました。三星は標準HBMおよび他の顧客のカスタム製品を引き続き自主生産する計画です。